CuS YARIMKEÇİRİCİ NAZİK TƏBƏQƏLƏRİNİN VAKUUMDA TERMİKİ BUXARLANDIRMA ÜSULU İLƏ ALINMASI

Məqalədə nazik yarımkeçirici CuS təbəqəsinin vakuumda texniki buxarlandırma metodu ilə alınması tədqiq olunur. Göstərilir ki, CuS təbəqəsini almaq üçün lazım olan vakuum qurğusu məşhur “Tesla” qurğusu əsasında yığılmışdır. Məqalədə buxarlandırıcı vakuum qurğusunun prinsipial sxemi geniş analiz edilir. İşdə “Tesla” qurğusunun quruluşu və iş prinsipi də ətraflı şərh edilir. CuS kristal qəfəsinin bəzi parametrləri və onları təyin etmək üçün lazım olan ən vacib düsturlar verilir. Qeyd edilir ki, təbəqənin quruluşu rentgenoqrafik metodla tədqiq edilir. Müəyyən edilmişdir ki, massiv və nazik təbəqələrdə qəfəs parametrlərinin qiymətləri demək olarki üst üstə düşür.

В статъе иследуется получение тонких пленок полуроводника CuS методам термического испарения в вакууме. Показано, что вакуумная установка для получения пленок было собрана на основе с пециалъной вакуумной установки “Тесла”. В работе анализируется принципалъная схема вакуумной напылителъной установки. Приводится структуры и принцип работы установки “Тесла”. Дано, некоторые параметры кристаллической решетки CuS. В статъе, также приводится важные формулы для определение скоростъ испарения, толщина пленки и максималъного содержания примесей в пленке. Структура полученных пленок исследоваласъ рентгенографическим методам. Установлено, что параметры решетки в массивных и пленочных образцах совподают.